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三星与 SK 海力士敲定明年二季度量产 8 层 HBM4,定向供货英伟达 AI 芯片

三星电子与 SK 海力士已经正式敲定产品排期,计划在明年第二季度启动 8 层 HBM4 的规模化量产,产出的成品将优先定向供给英伟达下一代 Rubin Ultra AI 加速器,这是两家存储大厂针对英伟达最新硬件配置方案做出的产能调整。现阶段两家企业主力生产 12 层版本 HBM4,从明年年中开始,8 层堆叠产品的出货占比会迎来明显提升,用来匹配英伟达 NVL 机架系统的混合内存配置方案。8 层 HBM4 采用 8 颗 DRAM 芯片垂直堆叠,相比 12 层版本,整体堆叠高度更低,芯片发热更少,量产良率更容易把控,能够保障大批量供货的稳定性。英伟达在今年三季度正式敲定新增 8 层规格采购需求,不再只依靠高堆叠层数的产品,通过高低层数搭配,平衡 AI 算力卡的散热、良率与供货规模,而三星、SK 海力士同步调整产线布局,提前完成 8 层 HBM4 的工艺验证,保障能够按时交付订单,进一步稳固双方在 AI 高带宽内存领域长期稳定的供货合作关系,持续保障全球 AI 算力产业链的内存供给能力。

一、推出 8 层 HBM4 量产方案的核心背景原因

  1. 英伟达下一代 AI 硬件优化散热设计。12 层 HBM4 堆叠层数更高,芯片运行时热量集中,在高密度机架集群里容易出现温控压力,8 层结构可以有效降低整体发热,适配高密度 NVL 机架部署场景。
  2. 保障量产良率与供应链稳定。堆叠层数越少,晶圆封装工艺难度越低,生产良率可以稳步提升,能够有效缓解多层堆叠带来的良品波动,保障大批量订单稳定交付。
  3. 完善内存产品矩阵,灵活匹配算力需求。英伟达针对不同算力档位的服务器,区分高算力机型与常规机型,高算力机型继续使用 12 层 HBM4,常规机型搭载 8 层 HBM4,形成分层配置方案,优化整机硬件成本。
  4. 两家存储厂商提前完成工艺技术储备。三星、SK 海力士已经完成 8 层 HBM4 的硅通孔堆叠、晶圆键合全流程工艺测试,具备快速切换产线、启动量产的技术条件,不用额外投入大额研发成本。

二、8 层 HBM4 从工艺验证到量产交付的完整执行步骤

第一步:定制化工艺开发与样品认证

表格

工作环节详细内容交付成果
芯片堆叠方案设计按照英伟达参数,完成 8 颗 DRAM 垂直堆叠方案,优化硅通孔布线,降低堆叠高度8 层 HBM4 硬件设计图纸
小批量流片测试在试验产线完成多轮试生产,测试带宽、功耗、发热指标,持续优化封装工艺工程样品 + 性能测试报告
客户送样认证把合格样品交付英伟达,完成芯片上机兼容性测试,匹配 Rubin Ultra 芯片架构客户认证通过文件

第二步:产线改造与产能爬坡

  1. 对现有 HBM4 封装产线做小幅改造,调整堆叠设备参数,适配 8 层芯片组装流程,无需新建整条产线。
  2. 分三个阶段爬坡产能:小批量试产→中批量稳定生产→大规模量产,逐步把良率提升至商业化标准。
  3. 同步配套上游 1c 工艺 DRAM 晶圆产能,保证芯片裸片持续稳定供应,避免封装环节出现原材料缺口。

第三步:排期锁定与批量出货履约

  1. 双方签订供货框架协议,锁定明年二季度起的月度出货量,优先保障英伟达订单产能。
  2. 建立分批次交付机制,前期优先供给 Rubin Ultra 测试机型,后期逐步扩大供货量,覆盖全系列 NVL 机架服务器。
  3. 搭建品质管控体系,每批次产品同步出具检测报告,持续保障内存带宽、稳定性符合英伟达硬件标准。

三、8 层 HBM4 量产落地带来的产业价值

  1. 丰富 HBM4 产品梯队,形成 8 层 + 12 层双规格供给,解决高堆叠产品散热与良率短板,让 AI 服务器内存配置更加灵活。
  2. 进一步夯实三星、SK 海力士在高端 AI 内存市场的供给能力,持续满足英伟达下一代 AI 芯片的内存采购需求,稳固长期战略合作。
  3. 带动 HBM 封装工艺持续优化,简化堆叠生产流程,稳步降低单位产品生产成本,推动高带宽内存进一步普及到中高端 AI 算力设备。
  4. 保障全球 AI 算力产业链供给平稳,缓解高端 HBM 产品供货紧张的局面,为大模型训练、云端推理业务提供充足的硬件支撑。

【相关 FAQ】

问题 1:三星与 SK 海力士计划明年二季度量产 8 层 HBM4,这款产品主要供货给哪款英伟达硬件?

回答 1:三星与 SK 海力士计划明年二季度量产 8 层 HBM4,这款产品主要供货给英伟达 Rubin Ultra AI 加速器,用于配套 NVL 机架级服务器集群,同时会和 12 层 HBM4 形成混合配置方案。

问题 2:8 层 HBM4 对比当前主流的 12 层 HBM4,在生产与使用上具备哪些优势?

回答 2:8 层 HBM4 只堆叠 8 颗 DRAM 芯片,堆叠高度更低,芯片运行发热更少,封装工艺难度更低,量产良率更容易把控;同时能够适配密度更高的机架服务器,更好解决高密度算力集群的散热难题,保障大批量稳定供货。

问题 3:三星与 SK 海力士启动 8 层 HBM4 量产之后,HBM4 产品出货结构会发生怎样变化?

回答 3:今年 12 层 HBM4 依旧是两家企业的主力出货规格;从明年二季度量产启动之后,8 层 HBM4 的出货占比会持续显著提升,形成 8 层与 12 层双规格并行供货的格局,满足英伟达不同档位 AI 服务器的采购需求。

【参考资料】

[2026-10-26](三星与 SK 海力士将于明年 Q2 量产 8 层 HBM4,供货英伟达)财联社

[2026-10-26](三星海力士敲定明年二季度量产 8 层 HBM4,适配英伟达新 AI 芯片)CNMO 科技

[2026-10-26](三星、SK 海力士将在明年二季度量产 8 层 HBM4 供应英伟达)ZDNet Korea

[2026-10-26](8 层 HBM4 量产提上日程,英伟达优化下一代内存配置)电子工程专辑

免责声明:本次量产时间、产品规格、供货对象均来自行业媒体公开信息与产业链消息;8 层 HBM4 的量产进度、良率水平、实际出货规模会受到产线调试、工艺优化、下游订单调整等多种产业因素影响;本文仅为产业链信息客观梳理,不构成产业投资与采购决策建议。