佳能在 11 月 10 日正式对外官宣，新款 KrF 扫描式半导体光刻机 FPA-6400ES6a 定于 12 月上旬发售，面向存储芯片、逻辑芯片量产场景，这款设备每小时可以完成 400 片晶圆曝光，套刻精度达到 4nm，解决现在多层堆叠工艺里晶圆翘曲变形带来的对位难题，适合 AI 相关存储、功率器件、成熟制程逻辑芯片的大批量生产。现在成熟制程芯片的曝光层数越来越多，多层堆叠工艺下晶圆很容易出现弯曲、形变，普通光刻机对位不准，良率会往下掉，佳能在新机上搭载全新超高加速度工件台、自研抑振技术，还新增 Hi-ALS 高精度对准光源，支持按需切换对准波长，就算是翘曲程度比较大的晶圆，也能稳定完成多层图案对位，相比上代机型，产能和套刻指标都有明显升级，适配工厂持续扩产成熟制程的需求。
FPA-6400ES6a 核心参数清单
- 机型：FPA-6400ES6a，KrF 扫描式光刻机
- 曝光波长：248nm KrF
- 产能：400 片 / 小时（300mm 晶圆）
- 套刻精度：4.0nm
- 适用晶圆：300mm（12 英寸）
- 核心技术：超高加速度工件台、振动抑制技术、Hi-ALS 可选对准光源
- 目标场景：存储芯片、逻辑芯片、功率芯片成熟制程量产
- 发售时间：2026 年 12 月上旬
新旧机型对比表
| 机型 | 套刻精度 | 产能 | 核心升级点 |
|---|---|---|---|
| FPA-6400ES6a | 4.0nm | 400 片 / 小时 | 新工件台、抑振技术、Hi-ALS 对准光源 |
| FPA-6300ES6a | 5.0nm 以内 | 低于 400 片 / 小时 | 上代 KrF 主力机型 |
产线导入使用流程
- 半导体工厂完成产线空间、配套气路、供电、防震地基改造
- 设备进场、安装、光路校准、工件台同步调试
- 根据芯片工艺，选定对准光源方案，录入工艺配方
- 翘曲晶圆专项对位测试，验证多层套刻稳定性
- 小批量试产，监控良率、CD 均匀性、套刻偏移数据
- 稳定达标后转入大批量连续生产，接入工厂 MES 系统
这款设备定位成熟制程量产主力，不做 EUV 的先进节点，主打成熟芯片产线的高产出、高良率需求。
【相关 FAQ】
问题 1：佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 的 4nm 套刻精度，是不是代表可以做 4nm 芯片？
回答 1：不是，佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 是 KrF 248nm 光源，套刻精度 4nm 指多层图案对位误差，不是芯片制程节点，它用于成熟制程芯片生产。
问题 2：佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 相比上一代机型提升在哪？
回答 2：佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 把套刻精度从 5nm 提升至 4nm，产能提升到每小时 400 片，新增 Hi-ALS 对准光源，对翘曲晶圆适配能力更强。
问题 3：佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 主要用来生产哪一类芯片？
回答 3：佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 面向存储芯片、逻辑芯片、功率器件，主要用于成熟制程产线大批量制造。
问题 4：佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 什么时候正式供货？
回答 4：佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 官宣发售时间为 2026 年 12 月上旬，客户交付排期需要和佳能商务团队确认。
【参考资料】
[2026-11-10]（佳能发售 KrF 半导体光刻机 “FPA－6400ES6a” 实现高生产率和业界高水平套刻精度）电子工程专辑
[2026-11-10]（Canon launches FPA-6400ES6a KrF semiconductor lithography system with high throughput and industry-leading overlay accuracy）Canon Global
[2026-11-10]（佳能推出 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a）电子发烧友网
[2026-11-10]（佳能中国发布 FPA-6400ES6a 产品新闻）佳能（中国）官网
[2026-11-10]（KrF 半导体露光装置 FPA-6400ES6a 発売）佳能日本官网
【免责声明】
以上佳能 KrF 光刻机 FPA-6400ES6a 参数、产能、套刻精度、发售信息来自佳能官方新闻稿和半导体行业媒体报道，设备最终交付规格、价格、交付周期以佳能商务合同为准，本内容仅作信息参考，不构成产线采购、设备选型建议。